[发明专利]一种二维半导体调制掺杂的覆盖层筛选方法及所得异质结有效
| 申请号： | 202110721586.0 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113436963B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李贤斌;王丹;孙洪波 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/12;H01L29/267;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请涉及集成电路技术领域，提供一种二维半导体调制掺杂的覆盖层筛选方法及所得异质结，所述覆盖层筛选方法根据沟道层材料的本征属性，筛选覆盖层材料及其内缺陷种类，基于密度泛函理论，根据覆盖层材料内缺陷与沟道层材料间的电荷转移为判据，确定掺杂类型(电子掺杂或空穴掺杂)，从而达到为沟道层材料的N/P型掺杂，筛选出特定的覆盖层材料和其缺陷种类的目的。本申请实施例提供的覆盖层筛选方法，获得的掺杂方案稳定性良好、不破坏沟道材料晶格，并能够与现有集成电路工艺实现较好的兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 半导体 调制 掺杂 覆盖层 筛选 方法 所得 异质结 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
