[发明专利]一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 202110721700.X | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113517340A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘静;吴晗;王琳倩;屠家昆 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
一种凹槽双场板AlGaN/GaN HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、势垒层和钝化层，源极、漏极、栅极延伸至势垒层，栅极位于源极和漏极之间；势垒层上且位于栅极和漏极之间设置有凹槽双场板；缓冲层由厚度为2μm的GaN组成，摻杂浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 凹槽 双场板 algan gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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