[发明专利]铜CMP的工艺控制方法在审
| 申请号： | 202110723556.3 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113539952A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黄景山;裴雷洪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B24B37/10;B24B37/20;B24B37/30;B24B37/34;B24B57/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜CMP的工艺控制方法，包括：步骤一、对第一介质层进行刻蚀形成沟槽；步骤二、测量位于沟槽底部的第一介质层的剩余厚度；步骤三、形成铜层将沟槽完全填充并延伸到沟槽外的第一介质层的表面；步骤四、进行铜CMP将沟槽外的铜层去除并由填充于沟槽中的所述铜层组成铜线；铜CMP的研磨时间还根据步骤二中测量的第一介质层的剩余厚度进行调整，以使铜线的厚度达到第一目标值。本发明能消除铜CMP之前的介质层刻蚀工艺对铜线厚度的不利影响并从而能提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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