[发明专利]晶体管制造方法、设备、计算机可读存储介质与程序产品在审
| 申请号： | 202110723708.X | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113451137A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李青春 | 申请（专利权）人： | 深圳铨力半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 深圳市汉瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 44766 | 代理人： | 李航 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管制造方法，包括：在外延片上热生长场氧化层后，多次进行导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结、源区PN结和截止区PN结，源区PN结与承压环PN结部分重叠；在场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在掺杂氧化层PSG开设源区接触孔和截止区接触孔；在掺杂氧化层PSG、源区接触孔和截止区接触孔淀积金属层，并去除源区接触孔对应的源极与截止区接触孔对应的场板之间的无效金属层。本发明还公开了晶体管制造设备、计算机可读存储介质、程序产品。本发明多次注入导电掺杂杂质，在外延片上形成导通性良好的承压环PN结、源区PN结和截止区PN结，且承压环PN结与源区PN结部分重叠，使得晶体管的高温特性稳定，高温漏电小。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 设备 计算机 可读 存储 介质 程序 产品 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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