[发明专利]一种负氢离子源系统在审
| 申请号： | 202110725106.8 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113438794A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 高飞;王英杰;王友年 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H05H3/06;G21B1/05 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负氢离子源系统。该系统包括：等离子体产生装置和负氢离子引出装置；等离子体产生装置的等离子体出射口处设置负氢离子引出装置；负氢离子引出装置包括外壳、过滤磁场产生装置和扩散区；外壳内设置扩散区；外壳包括金属侧壁和金属顶面；金属顶面为静磁屏蔽面；金属顶面开设有等离子体通道；等离子体产生装置产生的等离子体从等离子体通道进入扩散区的顶部，并从扩散区的底部引出负氢离子；过滤磁场产生装置设置在金属侧壁的外部且位于扩散区的底部。本发明能够在冷却扩散区的电子的同时，避免等离子体产生装置内放电源区等离子体密度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢离子 系统 | ||
【主权项】：
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