[发明专利]一种EUV掩膜板对准标记及其优化方法和制备方法在审
| 申请号： | 202110726501.8 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113571408A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 邓文渊;喻波;姚舜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L23/544 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种EUV掩膜板对准标记及其设计方法和制备方法，所述EUV掩膜板的边缘为V型槽结构，可以显著提高对准标记边缘的散射信号强度，同时使对准标记边缘位置的成像光斑质心探测精度提高，因此可以有效提高对准标记位置的探测精度和重复性，进而提高缺陷的定位精度，有利于后续对EUV掩模板缺陷的补偿和处理，提高生产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 euv 掩膜板 对准 标记 及其 优化 方法 制备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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