[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 202110726739.0 申请日: 2021-06-29
公开(公告)号: CN113451161B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 涂旭峰;霍炎 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 张相钦
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。半导体封装方法包括:在电气元件正面形成保护层,并在保护层上形成有保护层开口;电气元件正面具有电性连接键,保护层开口与电性连接键相对应;在芯片正面的焊垫上形成有导电柱,芯片正面设有连接桥;将电气元件正面朝向载板贴设于载板上,并将芯片正面朝向载板且通过导电柱贴设于载板上;芯片位于电气元件之上,连接桥与电气元件之间间隔,且导电柱位于电气元件的外侧;形成包封层,包封层至少形成于芯片的侧面以及芯片与电气元件之间的空间。上述方法通过导电柱的设置,将芯片与电气元件之间实现多层层叠封装,有利于减小封装体的体积,且能够有效保护连接桥结构,有利于保证产品性能。
搜索关键词: 半导体 封装 方法 结构
【主权项】:
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