[发明专利]拟合MOM电容的模型

摘要

本发明提供了一种拟合MOM电容的模型，包括：CMOM＝C0*[MR*(LR+LR_SHIFT)*(NF+NF_SHIFT)]A，其中：CMOM为模拟电容的值，MR为最小单元电容的数量，LR为最小单元电容的长度，NF为最小单元电容的叉指数，LR_SHIFT的取值范围为‑5e‑6～5e‑6，NF_SHIFT的取值范围为‑5～5,C0为线性拟合系数，并且C0大于0，A的取值范围为0～2；或者，CMOM＝C0*MR*[(LR+LR_SHIFT)*(NF+NF_SHIFT)]A，其中：LR_SHIFT的取值范围为‑5e‑6～5e‑6，NF_SHIFT的取值范围为‑5～5,C0为线性拟合系数，并且C0大于0，A的取值范围为0～2。在本发明提供的模型中，可以表征MOM电容的测试结构的插指数及长度的变化，也能够对插指数及长度变化的MOM电容的测试结构的实测数据进行高精度模拟。