[发明专利]降低CMOS器件漏电的方法在审
| 申请号： | 202110731420.7 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113178419A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 肖瑟;李玉科 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/02;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低CMOS器件漏电的方法，包括：提供衬底，所述衬底含有硅；在所述衬底上形成浮栅；从所述浮栅的两侧向所述浮栅的底部的所述衬底内注入氧原子，形成氧原子区；对所述衬底进行退火工艺，使得所述氧原子区的硅变成二氧化硅，以形成沟道电流阻挡结构；在所述浮栅的两侧的衬底内形成N型阱区，所述沟道电流阻挡结构阻挡沟道击穿时产生的电流。如果CMOS器件的N型阱区之间产生沟道击穿电流，本发明的沟道电流阻挡结构能阻挡沟道击穿产生的电流，并且，相比于现有技术，本发明的沟道电流阻挡结构由二氧化硅组成，相对于PN结，阻挡沟道击穿电流的效果更好，即阻挡漏电流的效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 cmos 器件 漏电 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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