[发明专利]多沟道槽栅MIS结构的高电子迁移率晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 202110731751.0 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113644127A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王冲;王润豪;马晓华;郑雪峰;何云龙;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多沟道槽栅MIS结构的高电子迁移率晶体管及制作方法，高电子迁移率晶体管包括：衬底、若干层异质结结构、源电极、漏电极、介质层和栅电极，若干层异质结结构依次层叠在衬底上，且若干层异质结结构中开设有栅槽，栅槽将若干层异质结结构形成的二维电子气隔断；源电极嵌入若干层异质结结构的一端；漏电极嵌入若干层异质结结构的另一端；介质层位于栅槽中以及若干层异质结结构的表面上，一端与源电极接触，另一端与漏电极接触；栅电极位于栅槽中且位于介质层上。该高电子迁移率晶体管引入槽栅MIS结构，避免了平面结构因为底部二维电子气距离栅极过远而引起的器件栅控能力减弱的问题，可以在较大的阈值电压下实现较大的饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 mis 结构 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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