[发明专利]3D存储器件的栅线缝隙图案化方法及曝光掩模在审
| 申请号： | 202110731776.0 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113643963A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张昆;张雷;郭亚丽 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了3D存储器件的栅线缝隙图案化方法及曝光掩模。该3D存储器件包括具有端部的结构特征。该曝光掩模包括：基板；以及位于所述基板上的掩模图案，所述掩模图案包括与所述结构特征相对应的特征图形，以及邻近所述特征图形的亚分辨率辅助图形，其中，所述亚分辨率辅助图形至少部分围绕所述特征图形的端部边角，以优化所述结构特征的端部形状。在3D存储器件中，采用该曝光掩模获得的栅线缝隙由于端部形状优化可以提高存储密度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 缝隙 图案 方法 曝光 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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