[发明专利]一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜有效

专利信息
申请号: 202110733394.1 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113502540B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 陈建明;姜树炎;周元辉;刘春艳;杨洪雨 申请(专利权)人: 苏州优晶光电科技有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00;C30B28/02
代理公司: 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 代理人: 胡妍
地址: 215300 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜,包括覆盖在籽晶正面的第一碳化硅多晶膜以及覆盖在籽晶背面的第二碳化硅多晶膜;所述第一碳化硅多晶膜上均匀分布有纳米级通孔;所述第二碳化硅多晶膜为双层复合膜,依次包括第一膜层和第二膜层;所述籽晶背面依次覆盖有第二碳化硅多晶膜、碳膜和石墨纸,所述第二膜层与碳膜相贴合。由于碳化硅多晶膜的缺陷密度大于籽晶,在升温过程中会优先挥发,产生的气体填充在籽晶表面附近,延缓籽晶表面的挥发速度,对籽晶起到保护作用。碳膜的作用在意减小第二膜层暴露的面积,延缓第二膜层的挥发。石墨纸对碳化硅和籽晶托盘起到隔离作用,减小籽晶的应力,防止籽晶和晶体开裂。
搜索关键词: 一种 牺牲 碳化硅 籽晶 保护膜
【主权项】:
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