[发明专利]一种补充气态碳源和硅源的碳化硅晶体生长方法及设备在审
| 申请号： | 202110734063.X | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113502541A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈建明;周元辉;姜树炎;刘春艳;滕松 | 申请（专利权）人： | 苏州优晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 胡妍 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种补充气态碳源和硅源的碳化硅晶体生长方法及设备，其设备包括炉体、石墨坩埚加热器、生长槽，石墨坩埚内设置有多孔隔板，多孔隔板将石墨坩埚分为晶体生长腔和气体扩散腔，定义晶体生长腔的高度为M，气体扩散腔的上边缘设置在从距多孔隔板上方1/3M处到多孔隔板水平中心线的区域内，气体扩散腔底部固定连接有进气组件；所述加热器对晶体生长腔均匀加热。本发明的设备包括晶体生长腔以及气体扩散腔，利用补充气态碳源和硅源的方式进行组分调节，使其在晶体生长过程中保持碳化硅晶体附近空间的碳组分和硅组分的平衡，避免碳化硅晶体产生螺旋错位、层错、微管等缺陷，同时提高碳化硅原料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 补充 气态 碳源 碳化硅 晶体生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
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