[发明专利]一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110736541.0 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113436819A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 向俊尤;俞奇苗;李磊;付勇兵 申请(专利权)人: 杭州科德磁业有限公司
主分类号: H01F1/055 分类号: H01F1/055;H01F41/02
代理公司: 杭州正南创想专利代理事务所(普通合伙) 33360 代理人: 杨丽萍
地址: 310000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种低温度系数钐钴烧结永磁材料的制备方法,属于钐钴烧结永磁材料技术领域。本发明克服了钐钴磁体磁性能在高温下损失严重、剩磁温度系数高等不足,通过掺杂少量重稀土元素Gd和Dy制备的Sm2Co17烧结永磁体,对名义成分和工艺参数进行优化,使本发明的钐钴烧结永磁体剩磁温度系数α较理想。通过充入惰性气体Ar减少熔炼过程中钐的烧损,减少成分偏析;在气流磨制粉工艺过程中,通过调控分选轮转速来获得粉体粒径SMD为3~5μm和合理的粒径分布范围D90/D10≤6.6,为粉体取向压型获得更高的取向度提供了可能。通过对热处理过程温度和时间的精确调控,使烧结后的毛坯更致密,密度更高,从而获得最终磁体的剩磁更高。
搜索关键词: 一种 温度 系数 烧结 永磁 材料 制备 方法
【主权项】:
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