[发明专利]制备锆钛酸铅柔性单晶薄膜的方法在审
| 申请号： | 202110740680.0 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115548209A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 吴金良;尹志岗;江奕天;程勇;张兴旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C30B23/02;C30B29/32;C30B29/64;H01L41/37 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备锆钛酸铅柔性单晶薄膜的方法，包括：在单晶衬底上制备a面氧化锌缓冲层；在a面氧化锌缓冲层上外延生长锆钛酸铅单晶薄膜层，得到复合层结构；将复合层结构置于稀酸溶液中，采用湿法腐蚀工艺腐蚀a面氧化锌缓冲层，得到锆钛酸铅单晶薄膜；将锆钛酸铅单晶薄膜转移至柔性衬底上，得到柔性衬底支撑的锆钛酸铅柔性单晶薄膜。本发明可实现锆钛酸铅外延薄膜的柔性化，制备过程具有严格意义上的可控性及可重复性；本发明制备过程简单、成本低、适用范围广，对实现锆钛酸铅柔性电子器件研制具有重要推动作用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 锆钛酸铅 柔性 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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