[发明专利]一种具有电荷积累效应的超结EA-SJ-FINFET器件有效
| 申请号： | 202110745217.5 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113488525B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;秦海峰;王礼祥;王玉婵;许峰;黄义;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 廖曦 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电荷 积累 效应 ea sj finfet 器件 | ||
【主权项】：
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