[发明专利]一种利用高纯电子级六氟丁二烯的半导体器件蚀刻方法有效
| 申请号： | 202110746524.5 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113257671B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 甘华平;秦远望;李涛;陈跃 | 申请（专利权）人： | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;B01D53/04;B01D53/26;B01D53/28 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 何俊 |
| 地址： | 314400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种利用高纯电子级六氟丁二烯的半导体器件蚀刻方法，包括以下步骤：将聚丙烯酰胺交联网络接枝到C型硅胶的孔壁上，制得吸水量响应型硅胶；对六氟丁二烯原料气依次进行吸水量响应型硅胶吸附除杂、轻组分精馏、重组分精馏后，获得高纯电子级六氟丁二烯；在半导体基底上形成绝缘层，在绝缘层上形成图案化掩模层，使含有高纯电子级六氟丁二烯的蚀刻气体形成等离子体后，利用等离子体对绝缘层进行干蚀刻。本发明所采用的吸水量响应型硅胶能利用孔内交联网络的吸水溶胀特性，使吸附初期和后期均具有较高的吸水速率，从而降低高纯电子级六氟丁二烯中的水含量，防止其在蚀刻后对半导体器件的性能造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 高纯 电子 级六氟 丁二烯 半导体器件 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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