[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202110747866.9 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN113506849B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 大屋满明;广木均典;政元启明;林茂生 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;F21S41/141;F21S43/14;F21W103/55 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置，具备第一电极，设于半导体层叠构造；第二电极，设于安装衬底；以及接合金属层，将上述第一电极和上述第二电极进行接合；在上述接合金属层的内部存在间隙；上述接合金属层具有：第一层，与上述第一电极相接，具有第一平均晶粒径；第二层，位于上述第一电极的相反侧，具有第二平均晶粒径；以及第三层，位于上述第二层与上述安装衬底之间，具有第三平均晶粒径；上述第一平均晶粒径及上述第三平均晶粒径比上述第二平均晶粒径大；上述间隙存在于上述第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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