[发明专利]三维存储器设备的局部触点及用于形成其的方法有效

专利信息
申请号: 202110749488.8 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN113488475B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 吴建中;张坤;赵婷婷;苏睿;孙中旺;周文犀;夏志良 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 刘柳;杨锡劢
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 公开了3D存储器设备和用于形成其的方法的实施方式。在一示例中,3D存储器设备包括衬底、存储器堆叠、沟道结构、沟道局部触点和狭缝结构。存储器堆叠包括在衬底之上的交错的导电层和电介质层。沟道结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。沟道局部触点在沟道结构之上并与沟道结构接触。狭缝结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。狭缝结构包括触点,其包括第一接触部分和在第一接触部分之上并具有第一接触部分的不同材料的第二接触部分。狭缝结构的第二接触部分的上端与沟道局部触点的上端齐平。
搜索关键词: 三维 存储器 设备 局部 触点 用于 形成 方法
【主权项】:
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