[发明专利]三维存储器设备的局部触点及用于形成其的方法有效
申请号: | 202110749488.8 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN113488475B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 吴建中;张坤;赵婷婷;苏睿;孙中旺;周文犀;夏志良 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 刘柳;杨锡劢 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了3D存储器设备和用于形成其的方法的实施方式。在一示例中,3D存储器设备包括衬底、存储器堆叠、沟道结构、沟道局部触点和狭缝结构。存储器堆叠包括在衬底之上的交错的导电层和电介质层。沟道结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。沟道局部触点在沟道结构之上并与沟道结构接触。狭缝结构垂直地延伸穿过存储器堆叠。狭缝结构包括触点,其包括第一接触部分和在第一接触部分之上并具有第一接触部分的不同材料的第二接触部分。狭缝结构的第二接触部分的上端与沟道局部触点的上端齐平。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 设备 局部 触点 用于 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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