[发明专利]一种含缓冲界面层的复合锂金属负极及其制备方法有效
| 申请号： | 202110749936.4 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113594422B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王木钦;王鸣魁;王德宇;申燕 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/134;H01M4/62;H01M4/74;H01M10/42;H01M10/052 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种含缓冲界面层的复合锂金属负极及其制备方法，所述方法包括对三维宿体进行亲锂性改性，获得亲锂性三维宿体；在亲锂性基体表面负载石墨烯类材料的缓冲界面层，获得含缓冲界面层的亲锂性三维宿体；在惰性气氛下，将固态金属锂加热熔融，将含缓冲界面层的亲锂性三维宿体与熔融锂接触，随后冷却凝固，制备含缓冲界面层的复合锂金属负极。本发明提供的制备方法，将抑制锂金属界面副反应及稳定锂金属负极结构有效结合，同时还可以解决固态电解质与锂金属间接触不良问题，提高电池循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 界面 复合 金属 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110749936.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
