[发明专利]BiSeTe/CdS纳米棒材料、光阳极、制法及其在Cu2+有效

专利信息
申请号: 202110750801.X 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113281390B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 曾慧慧;黄淋;邱丽 申请(专利权)人: 萍乡学院
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/48;B22F9/16
代理公司: 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 代理人: 方金芝
地址: 337000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明涉及BiSeTe/CdS纳米棒材料、光阳极、制法及其在Cu2+检测上的应用。BiSeTe/CdS纳米棒材料的制备方法,包括如下步骤:(1)Te纳米线的合成、(2)TexSey@Se纳米线的合成、(3)BiSeTe三元合金异质结材料的合成、(4)BiSeTe/CdS纳米棒材料的合成。本发明制备了一种BiSeTe/CdS纳米材料、光阳极,本发明的BiVO4/CdS光阳极将光电传感技术与现代纳米技术有机融合,以光作为激发信号,电作为输出信号,能实现环境水样中重金属Cu2+快速检测。
搜索关键词: bisete cds 纳米 材料 阳极 制法 及其 cu base sup
【主权项】:
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