[发明专利]一种压电晶片主动传感器封装结构在审
| 申请号： | 202110754652.4 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113451499A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孙清超;袁志伟;王瑞强;姜海涛;付雨露 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L41/053 | 分类号： | H01L41/053;H01L41/23 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种压电晶片主动传感器封装结构，属于机电阻抗技术领域。该压电晶片主动传感器封装结构包括柔性电路板、压电晶片主动传感器和射频同轴转接头；以绝缘的柔性薄膜作为基材，通过电镀或沉积方式分别在柔性薄膜的两个表面上形成金属层，制成印刷电路；压电晶片主动传感器和射频同轴转接头安装在柔性电路板上，三者进行电连接；通过对压电晶片主动传感器进行封装，使压电晶片主动传感器表面无需粘贴或焊接测试信号线即可完成测试，实现了压电晶片主动传感器和测试仪器的直接互连，加快了压电晶片主动传感器的安装效率，并因为柔性薄膜的保护，提高压电晶片主动传感器的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 晶片 主动 传感器 封装 结构 | ||
【主权项】：
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