[发明专利]集成电路器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110755531.1 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113809018A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 邱文智;余振华;林士庭;卢思维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，一种集成电路器件包括：中介层；第一集成电路器件，利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；第二集成电路器件利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；缓冲层，围绕第一集成电路器件和第二集成电路器件，缓冲层包括具有第一杨氏模量的应力降低材料；以及密封剂，围绕缓冲层、第一集成电路器件和第二集成电路器件，密封剂包括具有第二杨氏模量的模制材料，第一杨氏模量小于第二杨氏模量。在一些实施例中，本发明还提供了集成电路器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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