[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110756289.X | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113921604A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 新田哲也;池田宗谦;曾根田真也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/861;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。目的在于提供能够有效地降低恢复损耗的技术。在二极管区域的第1主面侧设置有第1阳极层以及第1接触层，在边界区域的第1主面侧设置有第2阳极层以及第2接触层。第2阳极层的第2导电型的杂质浓度比第1阳极层的第2导电型的杂质浓度低，或者，边界区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第2接触层的占有面积比例比二极管区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第1接触层的占有面积比例小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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