[发明专利]声表面波晶片级封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202110756802.5 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113904649A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张硕焕;金炳学;李昶烨 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种声表面波(SAW)晶片级封装，包括：基板；形成在基板上的叉指式换能器(IDT)；沿IDT外围形成在基板上的侧壁；形成在侧壁和IDT上方以与侧壁在IDT上方形成中空部的盖；连接电极，其形成在基板上，与IDT电连接并从侧壁的外围向外延伸；连接端子，其电连接到连接电极的从侧壁的外围向外延伸的部分，形成为遍及侧壁的一个外表面以及盖的一个表面和顶表面的一部分，并且具有形成为高于盖的顶表面的顶表面；以及有机可焊性防腐(OSP)涂层，其至少形成在连接端子的顶表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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