[发明专利]栅极结构中具有两个相邻金属层的结构在审
| 申请号： | 202110757053.8 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113903795A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 贾加尔·辛格;S·纳拉亚南;W·郑 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及栅极结构中具有两个相邻金属层的结构。一种结构包括：半导体鳍；位于半导体鳍中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；围绕第一源极/漏极区的第一掺杂区，其在半导体鳍中限定沟道区；以及围绕第二源极/漏极区的第二掺杂区，其在半导体鳍中限定漏极扩展区。栅极结构位于沟道区和漏极扩展区上方。该栅极结构包括栅极电介质层、位于栅极电介质层上方且与第二金属层相邻的第一金属层，以及位于第一金属层和第二金属层上方的连续栅极导体。金属层中的一者位于沟道区上方，金属层中的另一者位于漏极扩展区上方。金属层可以具有不同的厚度和/或功函数，以提高包括该结构的LDMOS FinFET的跨导和RF性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 具有 两个 相邻 金属 | ||
【主权项】：
暂无信息
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