[发明专利]平面绕组单元及其制作方法、平面绕组及平面电子器件在审
| 申请号： | 202110757417.2 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113707424A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 娄建勇;张旭东;袁凯;姚炜;尹玮 | 申请（专利权）人： | 无锡燊旺和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/32;H01F41/04;H01F41/12;H01F30/06;H01F17/00 |
| 代理公司： | 苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙) 32525 | 代理人： | 赵传海 |
| 地址： | 214101 江苏省无锡市锡山经济技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种平面绕组单元，包括：绝缘基材，绝缘基材包括导电区和非导电区；图案化的导电层，位于绝缘基材的导电区；以及绝缘填充层，位于绝缘基材的非导电区。本发明还公开了一种平面绕组单元的制作方法、平面绕组及平面电子器件。应用本发明技术方案的平面绕组单元及其制作方法、平面绕组及平面电子器件，由于绝缘填充层位于绝缘基材的非导电区，因而能够弥补图案化的导电层中的断差，提高了平面绕组中层结构的平整性，减少了平面电子器件中的气泡，避免了气泡对平面电子器件良率的影响，从而进一步提升平面电子器件的良率，有利于应用。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 绕组 单元 及其 制作方法 电子器件 | ||
【主权项】：
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