[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110757717.0 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115588608A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 高上 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 白莹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供中间半导体结构；刻蚀部分芯轴层，暴露部分多晶硅层，形成第一间隔组；沉积第一间隔层，覆盖第一间隔组和多晶硅层的暴露区域；去除第一间隔组和部分第一间隔层，暴露部分多晶硅层，形成第二间隔组；沉积第二间隔层，覆盖第二间隔组和多晶硅层的暴露区域；去除第二间隔组和部分第二间隔层，暴露部分多晶硅层，形成第三间隔组；去除部分多晶硅层和第三间隔组，形成第四间隔组，第四间隔组暴露部分氧化层。本公开中的制作方法能够有效减少加工步骤，在保证加工效果的同时，提升加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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