[发明专利]LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110758264.3 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115579393A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 冯冰;许超奇;张建栋;缪海生;贺腾飞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，在金属硅化物阻挡层中，采用与氧化硅层具有较大的刻蚀选择比的氮氧化硅层作为LDMOS漂移区上方的悬停金属接触件的刻蚀阻挡层；具有高消光系数的氮氧化硅层能够显著降低H迁移对PMOS造成的影响；可不增加退火或紫外光照处理，直接利用流程中的较低温度的RTA热退火过程就能实现应力记忆及应力迁移，以增加NMOS的电子迁移速率；不用增加额外的光刻及腐蚀过程，可提升产品流通效率。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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