[发明专利]用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构

摘要

本申请案涉及用于抑制CMOS图像传感器中的浮动扩散结泄漏的隔离结构。所公开标的物的实例提出围绕像素单元的像素晶体管区的周边安置深沟槽隔离结构。在一些实例实施例中，所述深沟槽隔离结构从半导体衬底的后侧延伸到所述半导体衬底中且毗邻或接触安置在所述半导体衬底的前侧中的浅沟槽隔离结构的底部。所述沟槽隔离结构一起将所述像素晶体管区的晶体管沟道隔离。所述沟槽隔离结构在所述像素晶体管区中的形成及布置形成浮动掺杂阱区，例如浮动P掺杂阱区(P阱)，其含有浮动扩散区FD及像素晶体管的源极/漏极(例如，(N)掺杂区)。这个浮动P阱区旨在减少与所述像素单元的所述浮动扩散区相关联的结泄漏。