[发明专利]射频电源的校准方法、半导体工艺方法及设备有效
| 申请号： | 202110760450.0 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113539776B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 卫晶;陈星;韦刚;张建坤;王月姣;刘宁;郝亮 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频电源的校准方法、半导体工艺方法及设备，该方法包括：对于一个工艺步骤，获取该工艺步骤中上射频电源与下射频电源的共同激励锁相角度的设定值；根据预设的共同激励锁相角度的校准值对设定值进行校准，以确定共同激励锁相角度的实际值，校准值为在预设工艺条件下晶圆表面的偏压值最小时对应的共同激励锁相角度的值。本发明提供的半导体工艺设备中射频电源的校准方法、半导体工艺方法及半导体工艺设备，可以实现不同的工艺腔室之间的工艺结果一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 电源 校准 方法 半导体 工艺 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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