[发明专利]一种太赫兹探测器在审
申请号: | 202110761673.9 | 申请日: | 2021-07-06 |
公开(公告)号: | CN113540260A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 李浩文;周靖;陈效双;夏国强;付兰克 | 申请(专利权)人: | 深圳网联光仪科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/115;H01L31/18;G02B5/00 |
代理公司: | 深圳市特讯知识产权代理事务所(普通合伙) 44653 | 代理人: | 孟智广 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种太赫兹探测器,包括:衬底层;设置在所述衬底层之上的金属反射层;设置在所述金属反射层之上的介电间隔层;对称设置在所述介电间隔层之上的第一狄拉克半金属层和第二狄拉克半金属层;以及设置在所述介电间隔层之上且位于所述第一狄拉克半金属层和所述第二狄拉克半金属层之间的金属光栅层。本发明的太赫兹探测器通过设计各向异性的光学天线与狄拉克半金属层的复合结构,基于等离激元谐振腔的高偏振辨别激发、阻抗匹配耦合,把偏振方向垂直于金属光栅的入射光高效地转化成为与狄拉克半金属层充分交叠的亚波长强光场,大幅提高狄拉克半金属层的光吸收和光响应,器件具有更高偏振消光比、更高集成度、更高响应率和更低的功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 赫兹 探测器 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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