[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 202110766251.0 | 申请日: | 2021-07-07 |
公开(公告)号: | CN113571530A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 马涛;艾飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 蔡艾莹 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法,阵列基板包括基底、公共电极层、栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极金属层,公共电极层设于基底上,栅极层设于公共电极层远离基底的一侧,栅极绝缘层覆盖栅极层和公共电极层,有源层设于栅极绝缘层远离基底的一侧,源漏极金属层设于有源层远离基底的一侧,源漏极金属层包括源极和漏极,源极和漏极之间形成沟道。本发明通过将设于层间介质层上的公共电极层移至基底上,由于公共电极层和源漏极金属层之间设有栅极绝缘层和栅极层,而栅极绝缘层的厚度较大,则能够减小公共电极层与源漏极金属层之间的电容,避免重载画面异常显示,有利于提升显示效果。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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