[发明专利]自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片有效
| 申请号： | 202110766738.9 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113644705B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 尹喜珍;陈昊 | 申请（专利权）人： | 上海芯跳科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 郭国中;李佳俊 |
| 地址： | 201100 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片，第一MOS管Q1的栅极作为GP引脚，第一MOS管Q1的漏极分别连接第三MOS管Q3的源极和第四MOS管Q4的栅极，第一MOS管Q1的源极分别连接第四MOS管Q4的源极和第三MOS管Q3的栅极，第一MOS管Q1的衬底连接第二MOS管Q2的漏极；第二MOS管Q2的栅极作为GB引脚，第二MOS管Q2的源极分别连接第二MOS管Q2的衬底、第三MOS管Q3的衬底、第三MOS管Q3的漏极、第四MOS管Q4的漏极以及第四MOS管Q4的衬底。本发明提出的自适应衬底切换方案，使锂电保护芯片可以单芯片集成，同时实现充、放电功能，缩减了芯片面积和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 衬底 切换 电路 结构 电池 保护 芯片 | ||
【主权项】：
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