[发明专利]一种异质结电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种异质结电池及其制备方法，异质结电池包括：半导体衬底层；本征半导体复合层，所述本征半导体复合层位于所述半导体衬底层的至少一侧表面，所述本征半导体复合层包括：底层本征层；位于所述底层本征层背向所述半导体衬底层一侧表面的宽带隙本征层，所述宽带隙本征层的带隙大于所述底层本征层的带隙。宽带隙本征层的带隙较大，当太阳光照射异质结电池时，能量小于宽带隙本征层的带隙的光子不能被寄生吸收，减小了本征半导体复合层对太阳光的寄生吸收，从而使得半导体衬底层对太阳光的吸收增多，半导体衬底层产生的光生载流子增多，进而能提高异质结电池的短路电流，能提高异质结电池的转换效率。