[发明专利]一种用于制备间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构的方法有效
| 申请号： | 202110768772.X | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113651288B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郑德印;王玮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型、高效的用于制备间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构的方法。本发明方法利用硅材料的电化学腐蚀反应具有沿特定晶向生长的特点，在硅基微通道结构的间隔墙的两个侧壁上制备出横向生长的纳米盲孔结构。本发明方法采用电化学抛光工艺将电化学腐蚀反应的反应界面以各向同性的方式向侧向扩展，从而在间隔墙的中间部分形成两个分别与两侧的纳米盲孔结构连通的内腔；并通过将相邻内腔组合形成新的微通道结构，制备出了间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 间隔 墙上 具有 纳米 通道 结构 方法 | ||
【主权项】：
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