[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底包括相对的第一面和第二面，包括若干相互分立的有源区，若干有源区沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向与第二方向相互垂直；位于有源区内的若干字线栅极结构，字线栅极结构自第一面向第二面延伸且沿第二方向排列，字线栅极结构沿第一方向贯穿若干有源区；位于衬底内的第一隔离结构，字线栅极结构位于第一隔离结构两侧，第一隔离结构自衬底第二面向衬底第一面延伸；位于衬底第一面上的若干位线结构，位线结构与有源区电连接，若干位线结构沿第一方向排列，且若干位线结构平行于第二方向；位于衬底第二面上的若干电容结构，电容结构与有源区电连接。所述结构的性能得到提升。