[发明专利]能克服多晶高温后腐蚀残留的方法在审
| 申请号： | 202110769331.1 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113471065A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈培仓;张冠群;彭时秋;王涛 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种能克服多晶高温后腐蚀残留的方法。其包括如下步骤：步骤1、提供衬底，在所述衬底上制备得到多晶硅层；步骤2、对上述多晶硅层进行图形化，以得到多晶硅图形层；步骤3、对上述多晶硅图形层进行所需的高温退火，并在高温退火后，进行所需的离子注入工艺；步骤4、在上述多晶硅图形层上制备遮蔽保护层，所述遮蔽保护层覆盖在多晶硅图形层上；步骤5、对上述多晶硅图形层进行高温离子激活，以在高温激活后，能得到所需的多晶硅图形膜层；步骤6、去除所述多晶硅图形膜层上的遮蔽保护层。本发明能提高工艺兼容性，解决先高温退火再腐蚀工艺时多晶残留表观异常，避免残留可能导致的OS失效，保证产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 克服 多晶 高温 腐蚀 残留 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
