[发明专利]一种光敏场效应晶体管在审

专利信息
申请号: 202110770939.6 申请日: 2021-07-08
公开(公告)号: CN113611768A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 黄永;汪琼;芦雪;陈兴;王东;吴勇 申请(专利权)人: 西安电子科技大学芜湖研究院
主分类号: H01L31/112 分类号: H01L31/112;H01L31/0352
代理公司: 上海驷合知识产权代理有限公司 31405 代理人: 于秀
地址: 241002 安徽省芜湖市弋*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种光敏场效应晶体管,包括:衬底;高阻层,设置于衬底上;光敏层和晶体管结构层,均设置于高阻层上,且光敏层和晶体管结构层之间具有间隙;晶体管结构层包括二维材料层以及与二维材料层相接触的源极、漏极和栅极,且二维材料层、源极、漏极和栅极均具有紧邻间隙的壁面;第一电极和第二电极,第一电极和第二电极分别设置于光敏层上相对应的两个端部,且第二电极设置于光敏层靠近晶体管结构层的端部,第二电极与栅极电连接;第一电极用于连接电信号。该发明中的器件通过较为简单的结构实现了光敏结构和晶体管结构的集成,结构简单,成本较低,稳定性较高,性能优异,适于控制高频信号。
搜索关键词: 一种 光敏 场效应 晶体管
【主权项】:
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