[发明专利]一种光敏场效应晶体管在审
申请号: | 202110770939.6 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113611768A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 黄永;汪琼;芦雪;陈兴;王东;吴勇 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海驷合知识产权代理有限公司 31405 | 代理人: | 于秀 |
地址: | 241002 安徽省芜湖市弋*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种光敏场效应晶体管,包括:衬底;高阻层,设置于衬底上;光敏层和晶体管结构层,均设置于高阻层上,且光敏层和晶体管结构层之间具有间隙;晶体管结构层包括二维材料层以及与二维材料层相接触的源极、漏极和栅极,且二维材料层、源极、漏极和栅极均具有紧邻间隙的壁面;第一电极和第二电极,第一电极和第二电极分别设置于光敏层上相对应的两个端部,且第二电极设置于光敏层靠近晶体管结构层的端部,第二电极与栅极电连接;第一电极用于连接电信号。该发明中的器件通过较为简单的结构实现了光敏结构和晶体管结构的集成,结构简单,成本较低,稳定性较高,性能优异,适于控制高频信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 光敏 场效应 晶体管 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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