[发明专利]采用库伦滴定测试氧化物薄膜氧空位浓度变化的方法有效
| 申请号： | 202110771997.0 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113504288B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈迪;赵云 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/42 | 分类号： | G01N27/42;G01N27/44 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了采用库伦滴定测试氧化物薄膜氧空位浓度变化的方法，所述方法包括：(1)在镀有集电极网的电解质衬底上生长氧化物薄膜，构建以所述氧化物薄膜作为正电极的电化学电池；(2)对所述电化学电池施加不同的偏压，得到所述氧化物薄膜的电流随时间变化的曲线，积分，得到在所述偏压下引起的所述氧化物薄膜的电荷量的变化，通过公式计算得到所述氧化物薄膜的氧空位浓度的变化。该方法能够可靠、方便、高效地测量氧化物薄膜的氧空位浓度的变化，通过本发明方法测得的氧化物薄膜中的氧空位浓度的变化值与采用化学电容法得到的氧空位浓度的变化值相当，由此证明了本发明所述方法的准确性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 库伦 滴定 测试 氧化物 薄膜 空位 浓度 变化 方法 | ||
【主权项】：
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