[发明专利]半导体结构、晶体管器件、及形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202110772714.4 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113629138A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 苏柏智;柳瑞兴;王培伦;李佳叡;周君冠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种半导体结构，该半导体结构包括沟道区域、与沟道区域相邻的源极区域、漏极区域、与漏极区域相邻的漂移区域以及双栅极结构。双栅极结构包括位于沟道区域的一部分和漂移区域的一部分上方的第一栅极结构。双栅极结构还包括位于漂移区域上方的第二栅极结构。本发明实施例还涉及晶体管器件、及形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 晶体管 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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