[发明专利]一种三氯氢硅质量检测方法、提纯控制方法及装置有效

专利信息
申请号: 202110774793.2 申请日: 2021-07-09
公开(公告)号: CN113233468B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 吴锋;田新;王付刚;孙江桥;赵培芝 申请(专利权)人: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;B01D3/14;B01D3/42;G01N33/00
代理公司: 北京锦信诚泰知识产权代理有限公司 11813 代理人: 倪青华
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及材料测试分析技术领域,特别涉及一种三氯氢硅质量检测方法,应用于通过多级精馏塔对三氯氢硅进行多级精馏的过程中,包括:至少在最末级精馏塔的塔釜出料处设置CVD检验炉,使得部分三氯氢硅硅芯在CVD检验炉中沉积生长多晶硅棒,通过CVD检验炉中的多晶硅棒对三氯氢硅的质量进行检测。本发明中,因为CVD检验炉仅仅供部分三氯氢硅硅芯沉积生长,相比于还原炉体积更小,受到的外部干扰因素更少,程度也更加轻微,质量波动更小,因此可以较为精确的表征出三氯氢硅的质量。同时,本发明中还请求保护一种三氯氢硅提纯控制方法及装置,具有同样的技术效果,同时还可大幅提高精馏后段的稳定性。
搜索关键词: 一种 三氯氢硅 质量 检测 方法 提纯 控制 装置
【主权项】:
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