[发明专利]第三代半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110774882.7 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113675259A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈正培;徐文凯 | 申请（专利权）人： | 深圳镓芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 郑一帆;田宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造的技术领域，公开了一种第三代半导体结构及其制造方法，所述第三代半导体结构包括：衬底；设置于所述衬底上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的集电极层；设置于所述集电极层上的基电极层；设置于所述基电极层上的异质外延层，所述异质外延层包括A l GaN；设置于所述异质外延层上的射电极层。通过在基电极层和射电极层之间设置一层异质外延层，从而形成二维电子气层，获得较高的电子迁移率，从而提高第三代半导体结构在作用于放大器时的放大功率比值，并且，通过调整异质外延层中的Al原子和Ga原子之间的浓度配比，在维持二维电子气层这个重要结构的同时，达到调整第三代半导体结构的禁带电子能量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 第三代 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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