[发明专利]一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备及应用有效

专利信息
申请号: 202110775914.5 申请日: 2021-07-08
公开(公告)号: CN113499790B 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 何嵘;竹文坤;董昌雪;喻开富;陈涛;杨帆;董云;许保亮 申请(专利权)人: 西南科技大学
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/34;C02F1/30;C02F1/70
代理公司: 绵阳远卓弘睿知识产权代理事务所(普通合伙) 51371 代理人: 张忠庆
地址: 621010 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备及应用,包括:将CdCl2·2.5H2O和AgNO3的混合粉末与辛胺和油胺的第一混合溶剂混合,加热反应,冷却到室温,得到反应溶液;在室温下,将Se粉与辛胺和油胺的第二混合溶剂混合,得到Se前驱体溶液;将Se前驱体溶液加入反应溶液中,加热反应,冷却,得到的沉淀物用三氯甲烷溶液清洗多次,将沉淀物与十六烷基三甲基溴化铵溶液混合均匀后超声,乙醇洗涤,干燥,得到铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料。本发明的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料在提高光吸收能力的同时又满足U(VI)的光催化还原,更有利于光生载流子的的产生和使用。
搜索关键词: 一种 还原 分离 ag 掺杂 cdse 纳米 光催化 材料 制备 应用
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