[发明专利]一种隧穿氧化钝化接触电池、制备方法及设备

摘要

本发明提供了一种隧穿氧化钝化接触电池、制备方法及设备，该方法包括：提供N型的硅基底，对硅基底清洗后制绒。然后在硅基底的表面进行硼扩散制备PN结。接着去除硅基底在硼扩散时背面形成的硼硅玻璃，以及去除扩散至硅基底的硼，采用臭氧水对硅基底的背面进行清洗和氧化，形成隧穿氧化层，进一步的在隧穿氧化层上制备多晶硅层，在PN结表面制备氧化铝层，以及在氧化铝层和掺杂多晶硅层上制备上氮化硅层和下氮化硅层，在上氮化硅层和下氮化硅层上分别制备第一电极和第二电极，该方法通过采用臭氧水清洗硅基底的背面，臭氧水对硅基底的背面进行氧化形成的隧穿氧化层，均匀性好，使的制备出的隧穿氧化钝化接触电池的光电转化效率和良率更高。