[发明专利]一种磷化铟晶片的腐蚀方法在审
| 申请号： | 202110780253.5 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113707535A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 周一;毕洪伟;彭杰 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C09K13/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 黄宗波 |
| 地址： | 404000 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磷化铟晶片的腐蚀方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种磷化铟晶片的腐蚀方法，所述腐蚀方法将晶片进行预清洗后，进行了两次腐蚀，两次腐蚀分别采用一次腐蚀液和二次腐蚀液对晶片进行腐蚀处理，所述一次腐蚀液的原料包括双氧水、硫酸、柠檬酸、冰醋酸。本发明公开了一种磷化铟晶片的腐蚀方法，能够对晶片本体进行腐蚀，即使对晶片发生触碰也不需要重新进行研磨，且在进行腐蚀的过程中，不需要降温设备，能够在常温下直接对晶片进行腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威科赛乐微电子股份有限公司，未经威科赛乐微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110780253.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
