[发明专利]接合用晶片结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110780745.4 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113972134A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 施英汝;吴伟立;罗宏章 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供一种接合用晶片结构及其制造方法，所述接合用晶片结构包括支撑基板、接合层以及碳化硅层。接合层形成在支撑基板的表面，碳化硅层接合在所述接合层上，其中碳化硅层的碳面与接合层直接接触。所述碳化硅层的基面线性差排缺陷(BPD)在1000ea/cm |
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| 搜索关键词： | 接合 晶片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
