[发明专利]平面电容的制作方法及系统和平面电容在审
| 申请号： | 202110785622.X | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113658800A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李峰;卢星华;杨柳;陶玉红;李露;周智勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市峰泳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 周景 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种平面电容的制作方法，平面电容包括第一平面电极、第二平面电极以及设置于第一平面电极与的第二平面电极之间的介质层，制作方法包括：制作形成介质层的介质层浆料；在第一平面电极和/或第二平面电极的表面涂布介质层浆料后形成介质薄膜；形成多层介质薄膜后将第一平面电极与第二平面电极进行覆合形成平面电容，介质层由多层介质薄膜相互叠置形成。本发明的平面电容的制作方法制作的平面电容具有较高的耐电压特性，提高了平面电容的良率，生产成本低。本发明还涉及一种平面电容及平面电容的制作系统。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 电容 制作方法 系统 | ||
【主权项】：
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