[发明专利]一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法在审
| 申请号： | 202110788440.8 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113595522A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 龙飞;诸政;赵继聪;孙海燕;宋晨光 | 申请（专利权）人： | 重庆胜普电子有限公司;南通大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 江苏隆亿德律师事务所 32324 | 代理人： | 倪金磊 |
| 地址： | 400000 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法，包括如下步骤：S1刻蚀产生释放腔再热氧生长钝化层，S2淀积多晶硅牺牲层至充满释放腔，S3刻蚀移除释放腔外周部牺牲层再化学机械抛光工艺使硅片上表面，于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤。申请人通过热氧提供最低界面陷阱密度、最高品质因数的氧化层形成良好台阶覆盖的共性台阶覆盖层；还提供用多晶硅反刻法，淀积多晶硅牺牲层，刻蚀去除释放腔外的多晶硅，再化学机械抛光平坦化硅片的上表面；以更好地无损快速平坦化，意料之外得到很好平坦化效果，显著改善生长质量及台阶处覆盖性。及基于此提供高品质因数的氮化铝兰姆波谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 铝兰姆波 谐振器 制作方法 | ||
【主权项】：
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