[发明专利]碳化硅颗粒的预处理方法及铝基复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110789560.X 申请日: 2021-07-13
公开(公告)号: CN113502407B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 刘春轩;高平平;蒋兆汝;曹柳絮;张扬;戴青松;罗任;苏新;吴云;蒋小汉 申请(专利权)人: 湖南金天铝业高科技股份有限公司
主分类号: C22C1/05 分类号: C22C1/05;C22C29/06;C01B32/956
代理公司: 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 代理人: 张勇;刘伊旸
地址: 416100 湖南省湘西*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 本申请涉及碳化硅颗粒的预处理方法及铝基复合材料的制备方法,通过在碳化硅颗粒表面形成二氧化硅层,再对其进行蚀刻,以制造表面孔洞,一方面二氧化硅层可与铝合金原料粉中的合金元素作用形成界面产物,提高碳化硅颗粒与铝合金原料粉之间的润湿性及界面结合强度,另一方面,表面孔洞使得铝合金原料粉与碳化硅颗粒之间还可以通过物理铆合作用进一步增强连接性能,减少因膨胀系数差异出现的界面脱离现象,因此,可实现铝基复合材料中碳化硅颗粒的质量含量达到50%~70%。
搜索关键词: 碳化硅 颗粒 预处理 方法 复合材料 制备
【主权项】:
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